Ngày 02/10/2023 20:51:30 / Lượt xem: 2011 / Người đăng:
biendt
/ Tác giả: Nguyễn Đình Sơn
10 Lời khuyên và kinh nghiệm khi thiết kế kết nối IGBT trong thiết bị điện tử

- Bất kỳ cuộn cảm ký sinh trong DC-liên kết phải giảm thiểu. Quá áp có thể được hấp thụ bởi C-hoặc RCd giữa thiết bị đầu cuối chính (cộng và trừ) của các mô-đun năng lượng.
- Làm cho mô hình điện ngắn và dày để giảm đi suy giảm do tổn hao và giảm thiểu nhiễu điện trường.
- Các dây ra kết nối giữa Gate driver Gate IGBT module phải được giữ càng ngắn càng tốt. Hệ thống dây điện kết nối giữa G-E phải được xoắn đôi để giảm thiểu lẫn nhau cảm ứng, như từ trường sẽ được bù lại bằng dòng điện bằng theo hướng ngược nhau.
- Hệ thống dây điện giám sát VCe không được đi kèm cùng với dây kết nối với G-E
- Dây dẫn Gate cho trên và dưới IGBT hoặc giai đoạn khác không được đi kèm với nhau.
- Nên có một điện trở 10kΩ (RGe) được đặt giữa các G-E. Nếu dây kết nối được sử dụng, không đặt RGe giữa bảng mạch in và khối IGBT. RGe được đặt rất gần với các mô-đun IGBT.
- Sử dụng một diode ức chế (Zener diode back-to-back) giữa các G-E. Diode phải được đặt rất gần với các mô-đun IGBT.
- Việc sử dụng một tụ điện (CGe) giữa các Gate và Emitor có lợi, ngay cả đối với năng lượng cao IGBT mô-đun và hoạt động đồng thời. Các CGe nên khoảng 10% CGeof IGBT sử dụng. các CGe được đặt rất gần với các mô-đun IGBT.
- Đặt điện trở cổng turn-on và turn-off gần nhau.
- Nếu tụ điện tăng bên ngoài được sử dụng, các tụ điện phải được đặt càng gần gate driver càng tốt để giảm thiểu điện cảm ký sinh.



Tính toán quấn máy biến áp 1 pha tần số 50Hz
Cấu tạo, nguyên tắc hoạt động của Transitor
Nguyên lý và sử dụng nguồn xung hay bộ biến đổi nguồn DC-DC
Làm LED trái tim với 8501
Ký hiệu, Hình dạng, kiểm tra, Xác định chân Transitor 
