Ngày 02/10/2023 20:51:30 / Lượt xem: 747 / Người đăng:
biendt
/ Tác giả: Nguyễn Đình Sơn
10 Lời khuyên và kinh nghiệm khi thiết kế kết nối IGBT trong thiết bị điện tử
- Bất kỳ cuộn cảm ký sinh trong DC-liên kết phải giảm thiểu. Quá áp có thể được hấp thụ bởi C-hoặc RCd giữa thiết bị đầu cuối chính (cộng và trừ) của các mô-đun năng lượng.
- Làm cho mô hình điện ngắn và dày để giảm đi suy giảm do tổn hao và giảm thiểu nhiễu điện trường.
- Các dây ra kết nối giữa Gate driver Gate IGBT module phải được giữ càng ngắn càng tốt. Hệ thống dây điện kết nối giữa G-E phải được xoắn đôi để giảm thiểu lẫn nhau cảm ứng, như từ trường sẽ được bù lại bằng dòng điện bằng theo hướng ngược nhau.
- Hệ thống dây điện giám sát VCe không được đi kèm cùng với dây kết nối với G-E
- Dây dẫn Gate cho trên và dưới IGBT hoặc giai đoạn khác không được đi kèm với nhau.
- Nên có một điện trở 10kΩ (RGe) được đặt giữa các G-E. Nếu dây kết nối được sử dụng, không đặt RGe giữa bảng mạch in và khối IGBT. RGe được đặt rất gần với các mô-đun IGBT.
- Sử dụng một diode ức chế (Zener diode back-to-back) giữa các G-E. Diode phải được đặt rất gần với các mô-đun IGBT.
- Việc sử dụng một tụ điện (CGe) giữa các Gate và Emitor có lợi, ngay cả đối với năng lượng cao IGBT mô-đun và hoạt động đồng thời. Các CGe nên khoảng 10% CGeof IGBT sử dụng. các CGe được đặt rất gần với các mô-đun IGBT.
- Đặt điện trở cổng turn-on và turn-off gần nhau.
- Nếu tụ điện tăng bên ngoài được sử dụng, các tụ điện phải được đặt càng gần gate driver càng tốt để giảm thiểu điện cảm ký sinh.